신현석 UNIST팀, 초저유전율 절연체 '비정질 질화붕소' 개발
"반도체 내부 전기간섭 최소화 가능…집적도·성능 향상 기대"
"반도체 내부 전기간섭 최소화 가능…집적도·성능 향상 기대"
국내 연구진이 반도체를 더 작게 만드는 데 걸림돌이 되는 절연체의 전기적 간섭 문제를 극복할 수 있는 신소재를 개발했다.
울산과학기술원(UNIST) 자연과학부 신현석 교수팀은 25일 '네이처(Nature)'를 통해 삼성전자종합기술원 신현진 전문연구원팀, 기초과학연구원(IBS) 등과 국제 공동연구를 통해 반도체 소자(회로)를 더 미세하게 만들 수 있는 '초저유전율 절연체' 개발에 성공했다고 이 같이 밝혔다.
반도체 회로는 실리콘 같은 반도체, 금속, 절연체 등으로 구성되는데 집적도를 높이기 위해서는 단위 회로 등을 더 작게 만드는 기술과 함께 작아질수록 증가하는 전기간섭 영향 등을 줄일 수 있는 우수한 절연체가 필요하다.
나노미터(㎚:10억분의 1ｍ) 수준의 반도체 공정에서는 내부 전기간섭이 심해져 정보처리 속도가 느려지기 때문에 전기 간섭을 최소화할 수 있는 초저유전율 신소재 개발이 반도체 소형화 한계를 극복할 핵심 과제로 꼽혀왔다.
저작권자 © 경인경제 무단전재 및 재배포 금지
