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삼성, 파운드리 이어 낸드 투자에 "8조 더"
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삼성, 파운드리 이어 낸드 투자에 "8조 더"
  • 신규대 기자
  • 승인 2020.06.01 19:01
  • 댓글 0
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평택2라인에 낸드플래시 증설…2021년 말 양산
10조 파운드리 이어 열흘만 낸드에 대규모 투자
초일류 글로벌 반도체 1위 기업으로 도약 '성큼'
▲삼성전자가 경기 평택2공장에 8조원 규모의 낸드플래시 생산라인을 구축한다. 인공지능(AI), 사물인터넷(IoT), 5세대(5G) 등 고성장 중인 첨단 정보기술(IT) 시장을 선점하고 낸드 분야의 기술 초격차를 확대하기 위해서다. 현재 건설 중인 삼성전자 평택공장 전경./삼성전자
▲삼성전자가 경기 평택2공장에 8조원 규모의 낸드플래시 생산라인을 구축한다. 인공지능(AI), 사물인터넷(IoT), 5세대(5G) 등 고성장 중인 첨단 정보기술(IT) 시장을 선점하고 낸드 분야의 기술 초격차를 확대하기 위해서다. 현재 건설 중인 삼성전자 평택공장 전경./삼성전자

삼성전자가 평택캠퍼스에 이어 이번엔 낸드플래시 증설까지 나서며 '세계 최첨단 복합 반도체 기지' 구축에 박차를 가하고 있다.

1일 관련업계 전문가 등에 따르면 삼성전자는 지난달 평택 2라인에 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사에 착수, 오는 2021년 하반기부터 양산에 돌입할 계획이다.

투자규모는 약 8조원에 달할 것으로 예상하고 있다. 이는 약 10조원 규모의 초미세 극자외선(EUV) 파운드리 라인 증설을 발표한지 열흘 만에 나온 투자 계획으로 초격차 전략을 이어가겠다는 행보로 보인다.

이번 투자 발표는 AI(인공지능), IoT(사물인터넷) 등 4차 산업혁명 도래와 5G 보급에 따른 중장기 낸드수요 확대에 대응하기 위한 조치다.

낸드플래시는 전원이 끊겨도 저장된 데이터가 손상되지 않는 메모리 반도체다.

특히 코로나 바이러스 감염증으로 인해 원격근무 등이 늘어나며 서버용 메모리 반도체 수요가 급증하며 낸드 수요도 점차 확대되는 상황이다.

향후 '언택트(비 접촉·대면)' 라이프스타일 확산 추세가 더욱 가속될 것으로 예상되는 만큼 앞으로 재편돼 도래할 시장기회를 선점해 나가겠다는 전략도 깔려있다.

또한 중국의 '반도체 굴기'에 대응하는 것은 물론 기술적 우위를 확보해 경쟁기업과의 격차를 벌리기 위한 전략으로도 분석된다.

올 연말 128단 적층형 낸드플래시 메모리를 양산을 시작으로 중국 반도체 업계의 추격 속도가 한층 빨라질 것으로 업계는 내다보고 있다. 

이를 통해 삼성전자는 지난 2002년부터 이어진 낸드플래시 시장 1위 지위를 공고히 하겠다는 방침이다.

지난 2015년 조성된 평택캠퍼스는 삼성전자의 차세대 메모리 전초기지로 세계 최대규모의 생산라인 2개가 건설됐다.

▲삼성 평택캠퍼스 P2라인 증설 공사현장 전경./삼성전자
▲삼성 평택캠퍼스 P2라인 증설 공사현장 전경./삼성전자

이번 투자로 증설된 라인에서는 삼성전자의 최첨단 V낸드 제품이 양산될 예정이다.

삼성전자는 2002년 낸드플래시 시장 1위에 올라 현재까지 18년 넘게 독보적인 제조, 기술경쟁력으로 글로벌 시장의 리더 자리를 지키고 있다. 더욱이 지난 해 7월 업계 최초로 6세대(1xx단) V낸드 제품을 양산한 바 있다. 

이에 앞서 삼성전자는 평택캠퍼스에 파운드리 설비 증설도 발표한 만큼 글로벌 종합 반도체 1위 기업으로의 도약을 위한 속도도 한층 더 높이고 있다.

삼성전자는 지난달 22일 10조원을 투자해 EUV 기반의 파운드리(반도체 수탁 생산) 시설을 구축하기로 했다.

이로써 파운드리 공장은 기존에 구축한 경기 기흥·화성사업장에 이어 세계 최대 반도체 생산기지인 평택까지 확대하게 됐다.

평택캠퍼스는 D램 등 메모리 반도체 공장만 있었지만 이번 투자 결정으로 메모리 반도체와 시스템 반도체를 아우르는 생산거점으로 변모하게 된다.

삼성전자는 이달 평택 파운드리 라인 공사에 착수, 오는 2021년 하반기부터 본격 가동할 태세다. 이 라인에서는 5나노 제품을 주력으로 생산될 예정이다. 

삼성전자는 D램에 EUV 공정을 적용하며 새로운 패러다임을 제시했다는 평가를 받고 있는데 현재 EUV 공정으로 14나노 초반대 '4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술'을 개발하고 있다.

향후 차세대 제품의 품질과 수율도 기존 공정 제품 이상으로 향상시킬 예정이다.

EUV를 이용해 만든 4세대 10나노급(1a) D램은 1세대 10나노급(1x) D램보다도 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배 높여 사업 경쟁력을 더욱 강화할 수 있게 됐다.

삼성전자가 이처럼 미세공정에 박차를 가하는 데는 경쟁사들의 추격에 따른 초격차 전략의 일환으로 풀이된다.

그 중심에는 EUV 공정이 핵심으로 자리잡고 있다. 반도체는 공정이 미세할수록 전력 소모가 줄고, 생산성이 향상된다.

앞서 지난해 하반기 본격 양산을 시작한 '3세대 10나노급(1z)'의 경우 2세대 10나노급(1y) 대비 생산성을 20% 이상 향상시켰고, 속도 증가로 전력효율 역시 개선됐다.

삼성전자는 현재 EUV 공정으로 차세대 제품의 품질과 수율을 기존 공정 제품 이상으로 향상시킬 계획이다.

최철 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 부사장은 "이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력"이라며 "최고의 제품으로 고객 수요에 차질 없이 대응함으로써 국가 경제와 글로벌 IT산업 성장에 기여할 것"이라고 포부를 밝혔다./신규대·장경희 기자


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